日本のウェーハ用高純度SiCパウダー市場見通し2026

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日本のウェーハ用高純度SiCパウダー市場を動かしているのは何でしょうか。本記事では、国内需要を押し上げている要因と、市場を構成する製品タイプ・用途を整理します。

需要を押し上げている要因

日本における高純度炭化ケイ素（SiC）パウダー、特にウェハー向けの需要は、主にパワー半導体の分野で急拡大している。電気自動車や産業機器のインバーター向けに、従来のシリコンよりも高効率で高温動作に優れるSiCデバイスへの置き換えが進んでおり、その基材となる高品質ウェハーの需要が急増している。国内の大手自動車メーカーや重電メーカーがこの転換を積極的に進めており、特に日本の自動車産業はEVシフトの加速に伴い、部品調達から材料仕様までを見直している。コスト面では、高純度SiCパウダーの製造には高度な合成技術と高価な原料が必要であり、その低コスト化が業界全体の課題となっている。また、政府のグリーントランスフォーメーション政策に沿ったエネルギー効率向上のための規制強化が、半導体メーカーに高純度材料への切り替えを促している。さらに、技術的なシフトとして、結晶欠陥の少ない均一なパウダーが求められるようになり、その粒径や純度の指定が従来よりも格段に厳格化されている。このような要因が複合的に作用し、日本の高純度SiCパウダー市場を牽引している。

製品タイプ別の内訳

自己増殖型高温合成 (SHS) 法
アチソン法
CVD メソッド

タイプごとの特徴

高純度炭化ケイ素（SiC）粉末の製造方法には主に三つの手法があり、それぞれ異なる用途に適しています。自己伝播高温合成法は、原料粉末の混合と急速な発熱反応を利用し、比較的低温で短時間に合成できるため、コスト効率に優れ、主にパワーデバイス用のSiCインゴット成長の原料として用いられます。アチソン法は、電気炉内で珪砂とコークスを高温反応させる伝統的な手法で、大量生産に適し、研磨材や耐火材向けのSiC粉末製造に広く利用されています。一方、CVD法は、ガス状の原料を熱分解・化学反応させて高純度・高結晶性のSiCを析出させる高度な手法であり、エピタキシャル成長用の種結晶や薄膜形成に不可欠で、特に高性能なパワー半導体や高周波デバイスの製造に活用されています。各手法で得られる粉末の純度や粒子径、結晶性が異なるため、用途に応じて最適な方法が選択されます。

用途別の内訳

4 インチ
6 インチ
8 インチ
その他

市場に関わる主要企業

Wolfspeed
Coherent Corp.
SK Siltron
SiCrystal
Resonac
STMicroelectronics
TankeBlue
SICC
HebHebei Synlight Semiconductor
Shanxi Semisic Crystal
Fiven
Pacific Rundum

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